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藤野 威男*; 山下 利之; 大内 金二
Journal of Nuclear Materials, 183, p.46 - 56, 1991/00
被引用回数:9 パーセンタイル:69.44(Materials Science, Multidisciplinary)イットリウムの共存下でUO中へのバリウムの固溶挙動とBaYUUの酸素ポテンシャルを測定した。He中、真空中及び水素中、1000~1400Cで作製したBaYUO固溶体は、0≦y≦0.1の範囲で単相となることを見出した。固溶体の格子定数変化をBaとYの濃度の式で表したとき、Y濃度依存性は計算値と良く一致するのに対し、Ba濃度依存性は計算値よりもずっと小さいことがわかった。この固溶体は3価又は4価の金属を含む他の固溶体よりも高い酸素ポテンシャルを示した。Go-O/M曲線における急激な立上りを示すO/M比は1.917であった。これは他の大部分の固溶体でみられる値2.0よりもかなり小さい値である。また、本固溶体のGoは900~1300Cの範囲で温度に対し直線的に変化せず、得られたSo及びHoは温度依存性を示すことがわかった。912CでのSoとHoは、より高温での値と比べずっと小さな値を示すことがわかった。
白石 健介
Journal of Nuclear Materials, 169, p.305 - 313, 1989/00
被引用回数:10 パーセンタイル:72.82(Materials Science, Multidisciplinary)超電導体BaYCuOの臨界電流密度の向上に関係した、電子線、中性子、イオン照射の効果に関する実験データについてレビューした。この超電導体では照射の所期に臨界温度及び常電導状態での電気抵抗率は照射量に対して直線的に変化する。これらの変化率の比は電子線照射及び原子炉の中性子照射では0.4~0.8k/・mであり、600keVのArイオン照射した薄膜では0.1から2k/・mであると報告されている。電子線中性子照射または高エネルギーのXeイオンを照射した焼結ペレットの磁化率から求めた臨界電流密度は、臨界温度が1k程度以下上昇する極く僅かの照射によって、向上する。薄膜に臨界温度が3k変化する程度に25MeVのOイオンを照射すると、電気伝導率から直接求めた臨界電流密度は1T以上の磁界中で上昇する。外部臨界をかけない状態では電気伝導率から求めた臨界電流密度は照射量が増加するにしたがって、単調に減少する。